Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (7)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Масол И$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Масол И. В. 
Становление и перспективы развития производства компакт-дисков в Украине [Електронний ресурс] / И. В. Масол // Реєстрація, зберігання і обробка даних. - 2012. - Т. 14, № 1. - С. 75-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rzod_2012_14_1_10
Приведен анализ технологий изготовления подложек компакт-дисков (КД). Представлены результаты анализа влияния параметров инжекционного литья поликарбоната на качество подложек КД. Определены основные параметры процесса инжекционного литья, позволяющие получать КД высокого качества.
Попередній перегляд:   Завантажити - 305.637 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Осинский В. И. 
Температурные и концентрационные свойства [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, П. В. Деминский, Н. Н. Ляхова, А. П. Моторный, И. В. Масол, Н. О. Суховий // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2012. - № 2. - С. 50-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2012_2_11
На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/A<^>IIIB<^>V RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450 - 455, 525 - 535, 600 - 615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.026 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Осинский В. И. 
Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии ІІІ-нитридных структур [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, Н. Н. Ляхова, И. В. Масол, В. П. Грунянская, П. В. Деминский, Н. О. Суховий, В. В. Стонис, М. С. Оначенко // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2012. - № 1. - С. 62-72. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2012_1_11
Рассмотрена возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (T = 1050 градусов по Цельсию, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 - 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (T = 1000 градусов по Цельсию, газ-носитель азот, t = 1 мин).
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.491 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Осинский В. И. 
Декогерентизация ІІІ-N низкоразмерных наноструктур квантовых процессоров [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, И. В. Масол, М. С. Оначенко, А. В. Суший // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2014. - № 1. - С. 62-72. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2014_1_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 360.507 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Осинский В. И. 
Композиционная поляризация многокомпонентных тринитридов для приборных наноструктур [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, И. В. Масол, Н. Н. Ляхова, А. В. Осинский, А. В. Дягилев, М. С. Оначенко // Electronics and communications. - 2016. - Т. 21, № 6. - С. 10-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2016_21_6_4
Рассмотрены структурные и технологические аспекты поляризации многокомпонентных твердых растворов соединений A3B5, в частности, тринитридов галлия, индия и алюминия. Показано, что при замещении в решетках бинарных соединений множества атомов различных размеров, ионных и электронных наноструктур образуются локальные электрические поля, квантово- и оптически размерные потенциальные ямы и барьеры, которые могут объединяться в кластеры с преимущественными направлениями векторов электрического поля. С позиций новых сред накопления энергии проводится сравнительный анализ поляризации в многокомпонентных твердых растворах полупроводников и сегнетоэлектриков. Впервые многокомпонентные твердые растворы полупроводников A3B5 рассматриваются как неупорядоченные системы атомов в отличие от упорядоченного кристаллического распределения с трансляционной инвариантностью и симметрией. Предложены гетерогенные структуры четырехкомпонентных твердых растворов AlInNSb и BInNSb, как перспективные для излучающих систем с преобразованием и накоплением энергии.
Попередній перегляд:   Завантажити - 633.692 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського